除了刻蚀设备领域，其他国产半导体设备商，也取得了一定的阶段性成果。

　　比如，沉积设备领域。

　　拓荆的PECVD设备，已进入中芯国际，进行14nm验证，预计18/19年实现量产。

　　北方华创推出的14nm PECVD和ALD设备，预计将于18年，在14nm FinFET实现批量应用。

　　光刻设备领域。

　　魔都微电子，已实现90nm光刻机量产。

　　整体而言，仍与ASML有着8~...