中芯N+3工艺，核心目标是提升晶体管密度与能效比，为高端AI芯片，可供自主可控的先进制程支撑。

　　而在联合研发小组的集中攻关下，团队成功将N+3工艺的晶体管密度，从前代的108MTr/mm²，提升至125MTr/mm²！

　　介于台积电N6与三星早期5nm之间。

　　等效台积电5.5nm水平！

　　而骄阳600，作为骄阳500的迭代升级款，延续了“全栈自研+架构创新”路线，在中芯N+3工...